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ALD前驱体-四(乙基甲基胺基)铪(TEMAH)
HfO₂
薄膜致密度高、表面平整光滑、界面缺陷少，具备高介电常数、低漏电流、优异栅控能力，适配
a‑IGZO TFT、AMOLED
驱动、高
k
栅介质与先进显示器件。厦门理工学院使用我司四(乙基甲基胺基)铪
（TEMAH）
前驱体，系统研究
PEALD
制备中
HfO₂
薄膜厚度对结晶取向、表面形貌、介电性能及晶体管电学特性的影响，实现超低亚阈值摆幅与超高开关比。
时间：2026-05-15
