ALD前驱体-乙氧基钽(Ta(OEt)₅)_ALD/CVD前驱体_ALD/CVD源瓶_MLD前驱体_贵金属催化剂_实验室仪器

Ta₂O₅ 薄膜致密度高、表面平整均匀、缺陷密度低，具备高介电常数、宽禁带、低漏电流、高击穿场强优异特性，适用于紫外光电探测器、MIM 电容、RRAM 存储器及高 k 栅介质器件。厦门理工学院使用我司乙氧基钽（Ta (OEt)₅）前驱体，系统研究 PEALD 制备中沉积温度对薄膜生长机制、结晶形貌、光学与介电性能及光电探测特性的影响，确定 250–350 ℃ 为最优 ALD 窗口，成功制备出高光电流比、高探测率的 Ta₂O₅/p‑Si 异质结紫外探测器。