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采用Mn (EtCp)₂+H₂O 本征选区 ALD，依托电负性诱导吸附机制，可在金属/介电图案上实现MnOₓ 高选择性原子级精准生长，具备选区性优异、低温窗口宽、界面洁净、厚度可控等优势，适配纳米制造自对准图形化与 3D 单片集成（M3D）关键制程。华中科技大学使用我司二乙基二茂锰（Mn (EtCp)₂） 前驱体与 H₂O 共反应物，在 Pt/Cu/SiO₂ 基底上制备高纯度 MnOₓ 薄膜，揭示M–O 电负性差调控前驱体化学吸附与分解能垒的本征选区机制，首次建立电负性差异–吸附能–沉积选择性的定量关联，为先进 ALD 选区工艺开发与预测提供全新理论与方法支撑，相关成果发表于Molecules期刊。
时间：2026-05-18
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