ALD前驱体-四(二甲胺异丙氧基)铪(Hf (dmap)₄)+四(二甲胺异丙氧基)锆(Zr (dmap)₄)_ALD/CVD前驱体_ALD/CVD源瓶_MLD前驱体_贵金属催化剂_实验室仪器

采用FER‑1 混合前驱体 + O₃铁电薄膜 ALD 技术，依托Hf 与 Zr 前驱体热稳定性、蒸气压高度匹配的核心优势，突破传统Zr 前驱体耐热性弱于 Hf 前驱体的制程瓶颈，可在硅基衬底上实现HZO 铁电薄膜原子级精准生长，具备组分可控、成膜均匀、铁电性能优异、工艺窗口宽等优势，适配下一代铁电存储器件规模化制造。北海道大学使用Hf (dmap)₄/Zr (dmap)₄ 1:1 液态前驱体（FER‑1），成功实现前驱体比例与薄膜 Hf/Zr 组分完全一致的定量沉积，为高端存储芯片 ALD 量产工艺提供关键材料支撑，相关成果发表于ACS Applied Materials & Interfaces期刊。我司提供的四(二甲胺异丙氧基)铪和四(二甲胺异丙氧基)锆前驱体产品在国内某高校已经在使用，已取得初步的实验成果。