含Cp配体的前驱体热稳定性好，可在350℃或更高温度下进行ALD沉积而不自分解，这对获得高结晶度、高介电常数和低漏电流的高质量薄膜至关重要。CpHf和CpZr广泛用于沉积 HfO2、ZrO2，以及前景广阔的HZO(铪锆氧)铁电薄膜，适用于DRAM电容器和先进晶体管等高精度场景。我司研发人员，在合成，提纯，检测等方面，进行长时间比对实验，建立了具有自主知识产权的工艺方案，产品质量达到半导体行业主流水平。
